金属学及金属工艺论文_BTA与表面活性剂O-20复

文章摘要:化学机械抛光（CMP）是实现晶圆表面全局平坦化的关键工艺之一，而抛光液中的多种化学成分易对铜互连造成腐蚀。通过电化学和化学机械抛光实验，研究了铜互连CMP中低浓度缓蚀剂BTA和非离子表面活性剂O-20复配对Cu电化学腐蚀及去除速率的影响，同时利用扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）表征了Cu表面形貌。电化学实验结果表明，在双氧水、甘氨酸体系下，0.5mmol/L BTA与0.5mmol/L O-20复配后Cu表面腐蚀减少，其缓蚀效率动态条件下为59.58%，静态条件下为85.36%，相当于1mmol/L BTA的缓蚀效率。CMP实验结果表明，BTA与O-20复配后，Cu的去除速率为113nm/min，表面微粗糙度降低，可达0.953nm。使用低浓度BTA与O-20复配能抑制Cu表面腐蚀，降低Cu表面抛光后的微粗糙度，并且有利于CMP后清洗。

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项目基金:《中国腐蚀与防护学报》 网址: http://www.zgfsyfhxb.cn/qikandaodu/2021/1021/1043.html